华虹NEC：深耕特色工艺平台 辐射热点应用

    作为特色工艺技术纯代工企业，华虹NEC致力于打造特色工艺平台，目前已形成嵌入式非挥发性存储器、模拟/电源管理芯片、高压CMOS/显示驱动、射频和功率器件等五大特色工艺平台。在今年IIC-China展会上，华虹NEC集中展示了上述五大特色工艺平台的最新技术成果和解决方案。该公司销售与市场副总裁高峰接受本刊专访时，分享了华虹NEC特色工艺平台的最新进展以及热点技术应用情况。
    嵌入式非挥发性存储器技术是华虹NEC的关键性战略工艺平台，华虹NEC在该领域持续投入，不断开发新工艺技术。随着金融IC卡、M2MSIM、智能电表等高端市场对产品高可靠性提出的需求越来越多，要求也越来越高，针对上述情况，华虹NEC基于0.13μmSONOS嵌入式存储器工艺平台，成功开发出具有超高可靠性（UHR）的嵌入式非挥发性存储器模块（EEPROM/FlashIP），使0.13μmSONOSEEPROM/FlashIP的数据保存时间从常规的10年提升到了超过30年，而擦写次数则从100K大幅提高到超过500K。
    “华虹NEC长期以来致力于嵌入式非挥发性存储器工艺的研发和生产，从0.35μmEEPROM工艺到0.13μmSONOSEEPROM/Flash工艺，一直保持代工领域嵌入式非挥发性存储器技术的全球领先地位。”华虹NEC销售与市场副总裁高峰表示，“这次技术的提升能帮助客户进一步巩固其产品的市场竞争力，并支持客户产品在未来进入更高端应用市场。”
    据悉，北京华大电子基于华虹NEC的0.13μm嵌入式存储器工艺平台，成功开发出了国内第一颗通过银联认证的国产移动支付芯片（CIU98768A），北京华大智宝电子系统有限公司已成功将此应用于移动支付领域。
    除了在嵌入式非挥发性存储器技术领域不断深耕，华虹NEC在功率器件代工工艺方面也在不断推进。华虹NEC是全球首家提供MOSFET代工服务的8英寸晶圆厂，目前已成为全球最大的8英寸功率器件代工厂，累计出货量达300万片。IGBT是华虹NEC的重点产品之一，早在2011年初，华虹NEC就作为国内首家厂商在8寸生产线上量产了非穿通型的1200V的IGBT用于民用产品。
    2011年9月华虹NEC成功开发出新一代创新型MOSFET代工方案——600-700V超级结MOSFET(SJNFET)工艺，并开始进入量产阶段。“SJNFET技术可使终端产品大大降低能量转换损耗，是实现节能减排的关键半导体制造技术之一，具有非常广泛的应用市场。”高峰指出，该技术一直以来都掌握在国外大厂手中，每年国内公司都要花费大量的资金用于这类产品的采购。华虹NEC经过艰苦的技术攻关，现已掌握了SJNFET成套量产工艺技术，“该技术针对市电范围的开关电源、AC/DC、适配器/充电器和LED照明等应用而开发，具有开关速度更快、开关损耗更低、芯片面积更小、导通电阻更小等优点。”高峰表示，“目前多家客户在此平台上已成功开发并量产多款产品，很多产品技术参数指标达到业界领先厂商同类产品技术水平。”
    在BCD工艺制造方面，华虹NEC是中国大陆首家推出自主开发的0.35μmBCD和CDMOS工艺的代工厂。    2010年，华虹NEC率先推出了0.13μm的带高容量高可靠性的非挥发性存储器的CDMOS技术。“目前这些工艺都已经大规模量产，产品广泛用于电源管理、背光源驱动、LED驱动、音频功放、电池保护、电机驱动等领域。”高峰介绍，2011年底，华虹NEC的700V的BCD工艺也进入量产，连同超级结MOSFET和40VBCD工艺，共同为客户提供全面AC-DC解决方案。
    此外，在射频技术代工方面，华虹NEC已完成其特有专利技术的0.18/0.13μmSiGeBiCMOS工艺技术开发，今年下半年将进入量产。与GaAs相比，SiGe技术在集成度、工艺兼容性以及成本上具有很大优势。“SiGeBiCMOS和GaAs面向不同的市场应用领域，随着技术的发展，部分应用领域出现重叠，”高峰表示，“但这两种技术仍将长期共存。”
    对于2012年的发展，高峰表示，华虹NEC将继续推进嵌入式非挥发性存储器技术，使其保持全球业界领先地位；积极深化与战略合作伙伴合作，进一步完善0.13μm嵌入式存储器及其衍生工艺平台在新兴应用热点产品的代工方案，赢取更多热点产品市场。同时，持续发力新型功率器件制造技术的研发，实现产业化，争取更大的代工市场份额，以满足绿色家电、新能源汽车、光伏、风电等新兴应用领域需求。